E3AD8G16A4-HR vs MT40A512M16TB-062E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de E3AD8G16A4-HR par ELIXIR/NANYA et MT40A512M16TB-062E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | E3AD8G16A4-HR | MT40A512M16TB-062E |
|---|---|---|
| Marque | ELIXIR/NANYA | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,60 | $60,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gb | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Boîtier | TFBGA-96 | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Débit de données | 3200 MT/s | 1600 MHz (DDR4-3200) |
| Latence CAS | 22 | — |
| Burst Length | 8 (BC4 optional) | — |
| Number of Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C (TCASE) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | DDR4-3200 | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gbit |
| Supply Voltage - VDD/VDDQ | — | 1.2V ±60mV |
| Supply Voltage - VPP | — | 2.5V, -125mV, +250mV |
| tRCD | — | 19 ns |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| Plage de température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) |
| Interface | — | Parallel |
| Caractéristiques | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |