H5AN4G8NBJR-UHI vs H5AN4G8NBJR-VKC 比較
詳細な並列比較: H5AN4G8NBJR-UHI メーカー: SK hynix および H5AN4G8NBJR-VKC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5AN4G8NBJR-UHI | H5AN4G8NBJR-VKC |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.25 | $2.40 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| メモリ構成 | 512M x 8 | — |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| パッケージ | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (-UHI suffix) | — |
| データレート | 2400 MT/s | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| インターフェース | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank group architecture | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh support | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| メモリサイズ | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Packaging | — | Tray |
| ライフサイクル状態 | — | Active |