H5AN4G8NBJR-UHI vs H5AN4G8NBJR-VKC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN4G8NBJR-UHI por SK hynix y H5AN4G8NBJR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN4G8NBJR-UHI | H5AN4G8NBJR-VKC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,25 | $2,40 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 512M x 8 | — |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Encapsulado | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (-UHI suffix) | — |
| Velocidad de datos | 2400 MT/s | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Interfaz | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank group architecture | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh support | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Tamaño de memoria | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Packaging | — | Tray |
| Estado del ciclo de vida | — | Active |