H5AN4G8NBJR-UHI vs H5AN4G8NBJR-VKC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-UHI par SK hynix et H5AN4G8NBJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-UHI | H5AN4G8NBJR-VKC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,25 | $2,40 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | — |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Boîtier | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (-UHI suffix) | — |
| Débit de données | 2400 MT/s | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Interface | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank group architecture | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh support | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Packaging | — | Tray |
| Statut du cycle de vie | — | Active |