H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-RDC 比較

詳細な並列比較: H5AN4G8NBJR-VKC メーカー: SK hynix および H5AN4G8NBJR-RDC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-RDC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.40 $2.95
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 4 Gb —
Memory Organization 512M x8 —
データレート 2666 Mbps (DDR4-2666) [DATA_NEEDED: speed grade Mbps]
Memory Interface Parallel —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
パッケージ FBGA-78 (7.5 x 11 mm) 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM —
Volatile / Non-Volatile Volatile —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] Auto-refresh and self-refresh
RoHS ステータス Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant)
Packaging Tray —
ライフサイクル状態 Active —
Density — 4 Gbit
メモリ構成 — 512M x 8
インターフェース — DDR4 (Double Data Rate IV)
電源電圧 — [DATA_NEEDED: VDD supply voltage]
Bank Architecture — 8 banks with 4 bank groups (x8)
Temperature Grade — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Termination — On-Die Termination (ODT)
Process Technology — CMOS
Manufacturer — SK hynix
Family Series — H5AN4G4/8/6NBJR

データシート&リソース

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