H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-RDC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-VKC par SK hynix et H5AN4G8NBJR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-VKC | H5AN4G8NBJR-RDC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,40 | $2,95 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x8 | — |
| Débit de données | 2666 Mbps (DDR4-2666) | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Boîtier | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | Auto-refresh and self-refresh |
| Statut RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) |
| Packaging | Tray | — |
| Statut du cycle de vie | Active | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 8 |
| Interface | — | DDR4 (Double Data Rate IV) |
| Tension d'alimentation | — | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] |
| Bank Architecture | — | 8 banks with 4 bank groups (x8) |
| Temperature Grade | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| Process Technology | — | CMOS |
| Manufacturer | — | SK hynix |
| Family Series | — | H5AN4G4/8/6NBJR |