H5AN4G8NBJR-VKIR vs H5AN4G8NBJR-PBC 比較

詳細な並列比較: H5AN4G8NBJR-VKIR メーカー: SK hynix および H5AN4G8NBJR-PBC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR ✓ 生産中
SK hynix
H5AN4G8NBJR-PBC H5AN4G8NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 FBGA-78 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 FBGA-78 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-PBC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-PBC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.98 $2.20
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb —
メモリ構成 512M x 8 512M x 8
データレート 2666 Mbps per pin —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
パッケージ 78-ball FBGA 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (Industrial) -40C to +85C (case) —
Extended Temperature Range +85C to +95C (case, per datasheet conditions) up to 95C case (with increased refresh)
Technology CMOS DRAM —
Product Family H5AN4G4/6/8NBJR series —
Speed Grade Code -VKI —
Packing Suffix R (Tape & Reel) —
VPP Supply [DATA_NEEDED: VPP supply voltage] —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh interval specification] 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC
Memory Density — 4 Gbit
インターフェースタイプ — Parallel, JEDEC DDR4
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Speed Grade — PBC
Clock Frequency — [DATA_NEEDED: Clock Frequency]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Normal Operating Case Temperature — 0C to 85C
Lead Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes

データシート&リソース

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