H5AN4G8NBJR-VKIR vs H5AN4G8NBJR-PBC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN4G8NBJR-VKIR 제조: SK hynix 및 H5AN4G8NBJR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN4G8NBJR-VKIR | H5AN4G8NBJR-PBC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.98 | $2.20 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| 메모리 구성 | 512M x 8 | 512M x 8 |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps per pin | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (Industrial) | -40C to +85C (case) | — |
| Extended Temperature Range | +85C to +95C (case, per datasheet conditions) | up to 95C case (with increased refresh) |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Product Family | H5AN4G4/6/8NBJR series | — |
| Speed Grade Code | -VKI | — |
| Packing Suffix | R (Tape & Reel) | — |
| VPP Supply | [DATA_NEEDED: VPP supply voltage] | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh interval specification] | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| 인터페이스 유형 | — | Parallel, JEDEC DDR4 |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | PBC |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Normal Operating Case Temperature | — | 0C to 85C |
| Lead Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |