H5AN8G4NCJR-XXC vs K4B4G1646D-BYK00 比較

詳細な並列比較: H5AN8G4NCJR-xxC メーカー: SK hynix および K4B4G1646D-BYK00 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G4NCJR-xxC H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G4NCJR-xxC K4B4G1646D-BYK00
ブランド SK hynix Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $8.50 $7.50
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR3L SDRAM
Density 8Gb 4 Gb
メモリ構成 x4 (H5AN8G4NCJR) 256M x 16
電源電圧 1.2V 1.35 V (also operates at 1.5 V)
データレート [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix] 1600 Mbps
パッケージ FBGA 96-ball TFBGA
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to 85°C
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
実装タイプ Surface Mount —
Prefetch 8-bit —
Burst Length 8 (BL8) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes —
Number of Terminals — 96
CASレイテンシ — Programmable
Additional Features — Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination
Package Shape — RECTANGULAR
Temperature Grade — OTHER

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