H5AN8G4NCJR-XXC vs K4B4G1646D-BYK00 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G4NCJR-xxC par SK hynix et K4B4G1646D-BYK00 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G4NCJR-xxC | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,50 | $7,50 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 8Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | x4 (H5AN8G4NCJR) | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.2V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| Débit de données | [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix] | 1600 Mbps |
| Boîtier | FBGA | 96-ball TFBGA |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to 85°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Prefetch | 8-bit | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Latence CAS | — | Programmable |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |