H5AN8G4NCJR-XXC vs K4B4G1646D-BYK00 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G4NCJR-xxC por SK hynix e K4B4G1646D-BYK00 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | H5AN8G4NCJR-xxC | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $8,50 | $7,50 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 8Gb | 4 Gb |
| Organização da memória | x4 (H5AN8G4NCJR) | 256M x 16 |
| Tensão de alimentação | 1.2V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| Taxa de dados | [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix] | 1600 Mbps |
| Encapsulamento | FBGA | 96-ball TFBGA |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to 85°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Livre de halogênio | Yes | Yes |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Prefetch | 8-bit | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Latência CAS | — | Programmable |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |