H5AN8G6NCJR-VKC vs K4A8G165WB-BCRC 比較
詳細な並列比較: H5AN8G6NCJR-VKC メーカー: SK hynix および K4A8G165WB-BCRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5AN8G6NCJR-VKC | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $60.00 | $12.57 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| メモリ構成 | 512M x 16 | — |
| データレート | 2666 Mbps | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| 動作温度 | 0°C to +95°C | -40C to +95C |
| パッケージ | FBGA-96 | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Operating Current (IDD2N) | 28 mA | — |
| Operating Current (IDD4R) | 45 mA | — |
| Burst Length | 8 (BC4) | — |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Row Address Bits | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] | — |
| Column Address Bits | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| メモリサイズ | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| 電源電圧 | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| インターフェース | — | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS ステータス | — | Compliant |