H5AN8G6NCJR-VKC vs K4A8G165WB-BCRC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN8G6NCJR-VKC от SK hynix и K4A8G165WB-BCRC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCRC ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | H5AN8G6NCJR-VKC | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $60,00 | $12,57 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| Организация памяти | 512M x 16 | — |
| Скорость передачи данных | 2666 Mbps | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| Рабочая температура | 0°C to +95°C | -40C to +95C |
| Корпус | FBGA-96 | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Operating Current (IDD2N) | 28 mA | — |
| Operating Current (IDD4R) | 45 mA | — |
| Burst Length | 8 (BC4) | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Row Address Bits | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] | — |
| Column Address Bits | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Размер памяти | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Напряжение питания | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Интерфейс | — | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Статус RoHS | — | Compliant |