H5AN8G6NCJR-VKC vs K4A8G165WB-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NCJR-VKC par SK hynix et K4A8G165WB-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NCJR-VKC | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $60,00 | $12,57 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | — |
| Débit de données | 2666 Mbps | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C | -40C to +95C |
| Boîtier | FBGA-96 | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Operating Current (IDD2N) | 28 mA | — |
| Operating Current (IDD4R) | 45 mA | — |
| Burst Length | 8 (BC4) | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Row Address Bits | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] | — |
| Column Address Bits | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Interface | — | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Statut RoHS | — | Compliant |