H5AN8G8NAFR-VKC vs H5AN8G8NAFR-UHI 比較

詳細な並列比較: H5AN8G8NAFR-VKC メーカー: SK hynix および H5AN8G8NAFR-UHI メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G8NAFR-UHI H5AN8G8NAFR-UHI - 8Gb DDR4-2400 x8 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHI - 8Gb DDR4-2400 x8 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHI ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-UHI
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.15 $4.10
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
メモリ構成 1G x 8 1G x 8
Speed Grade DDR4-2666 (VKC bin) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
インターフェース SSTL12 DDR4 (JEDEC-class)
Burst Length 8 (BL8) —
Bank Group Architecture Supported (per DDR4 JEDEC architecture) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
DLL Yes (DLL for output skew control) —
パッケージ 78-ball FBGA 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS ステータス Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Process Technology CMOS —
Recommended Application Main memory requiring large density and high bandwidth —
Memory Density — 8 Gb
データレート — DDR4-2400 (PC2400), 1200 MHz clock
電源電圧 — 1.2 V
Lead Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes
Technology — CMOS
Application — Main memory (high density, high bandwidth)
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS latency for UHI speed grade]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh specification]
MSLレベル — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

データシート&リソース

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