H5AN8G8NAFR-VKC vs H5AN8G8NAFR-UHI Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN8G8NAFR-VKC от SK hynix и H5AN8G8NAFR-UHI от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC ✓ Активен
SK hynix
H5AN8G8NAFR-UHI H5AN8G8NAFR-UHI - 8Gb DDR4-2400 x8 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHI - 8Gb DDR4-2400 x8 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHI ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-UHI
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $4,15 $4,10
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Организация памяти 1G x 8 1G x 8
Speed Grade DDR4-2666 (VKC bin) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Интерфейс SSTL12 DDR4 (JEDEC-class)
Burst Length 8 (BL8) —
Bank Group Architecture Supported (per DDR4 JEDEC architecture) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
DLL Yes (DLL for output skew control) —
Корпус 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Статус RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Process Technology CMOS —
Recommended Application Main memory requiring large density and high bandwidth —
Memory Density — 8 Gb
Скорость передачи данных — DDR4-2400 (PC2400), 1200 MHz clock
Напряжение питания — 1.2 V
Lead Free — Yes
Без галогенов — Yes
Technology — CMOS
Application — Main memory (high density, high bandwidth)
Задержка CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for UHI speed grade]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh specification]
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену