H5AN8G8NCJR-VKC vs H5AN8G8NCJR-RDC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G8NCJR-VKC メーカー: SK hynix および H5AN8G8NCJR-RDC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC ✓ 生産中
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H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-RDC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $28.13 $2.70
メモリタイプ DDR4 SDRAM (volatile) DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit —
Memory Organization 1G x 8 —
データレート 2666 Mbps/pin up to 2666 Mbps
Clock Frequency 1.6 GHz —
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) —
Operating Current (typ) 30 mA —
Standby Current (typ) 3 mA —
動作温度 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix]
パッケージ FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
インターフェース Parallel (DDR4) DDR4 (JEDEC standard)
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
Asynchronous Reset Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Precharge Yes —
RoHS ステータス Compliant Compliant
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade]
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh period] —
Density — 8 Gb (1 GB)
メモリ構成 — x8
電源電圧 — 1.2 V (VDD)
Bank Architecture — 4 bank groups x 4 banks
Burst Length — BL8
Generation — C-die family (NCJR)
Lead Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes

データシート&リソース

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