H5AN8G8NCJR-VKC vs H5AN8G8NCJR-RDC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NCJR-VKC par SK hynix et H5AN8G8NCJR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G8NCJR-VKC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $28,13 | $2,70 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (volatile) | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Débit de données | 2666 Mbps/pin | up to 2666 Mbps |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) | — |
| Operating Current (typ) | 30 mA | — |
| Standby Current (typ) | 3 mA | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| Boîtier | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | Parallel (DDR4) | DDR4 (JEDEC standard) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh period] | — |
| Density | — | 8 Gb (1 GB) |
| Organisation de la mémoire | — | x8 |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V (VDD) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |