H5AN8G8NCJR-VKC vs H5AN8G8NCJR-RDC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G8NCJR-VKC por SK hynix e H5AN8G8NCJR-RDC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5AN8G8NCJR-VKC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $28,13 | $2,70 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM (volatile) | DDR4 SDRAM |
| Tamanho da memória | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Taxa de dados | 2666 Mbps/pin | up to 2666 Mbps |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) | — |
| Operating Current (typ) | 30 mA | — |
| Standby Current (typ) | 3 mA | — |
| Temperatura de operação | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| Encapsulamento | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78-ball FBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | Parallel (DDR4) | DDR4 (JEDEC standard) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh period] | — |
| Density | — | 8 Gb (1 GB) |
| Organização da memória | — | x8 |
| Tensão de alimentação | — | 1.2 V (VDD) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| Livre de halogênio | — | Yes |