H5AN8G8NDJR-XNC vs H5AN8G8NCJR-RDC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G8NDJR-XNC メーカー: SK hynix および H5AN8G8NCJR-RDC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G8NDJR-XNC H5AN8G8NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NDJR-XNC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G8NDJR-XNC H5AN8G8NCJR-RDC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $24.50 $2.70
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit (1 G x 8) —
データレート 3200 MT/s (DDR4-3200) up to 2666 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) —
I/O Voltage (VDDQ) 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) —
Operating Temperature (TC) 0°C to +95°C —
パッケージ FBGA-78 (7.5 x 11 mm) 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Memory Organization 1G x 8 —
インターフェース Parallel DDR4 (JEDEC standard)
Clock Frequency 1.6 GHz (I/O clock) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Packaging Tray —
Status Active —
Density — 8 Gb (1 GB)
メモリ構成 — x8
電源電圧 — 1.2 V (VDD)
Bank Architecture — 4 bank groups x 4 banks
Burst Length — BL8
動作温度 — [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix]
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade]
Generation — C-die family (NCJR)
Lead Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes
RoHS ステータス — Compliant

データシート&リソース

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