H5AN8G8NDJR-XNC vs H5AN8G8NCJR-RDC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G8NDJR-XNC por SK hynix e H5AN8G8NCJR-RDC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN8G8NDJR-XNC H5AN8G8NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NDJR-XNC ✓ Ativo
SK hynix
H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G8NDJR-XNC H5AN8G8NCJR-RDC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $24,50 $2,70
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 8 Gbit (1 G x 8) —
Taxa de dados 3200 MT/s (DDR4-3200) up to 2666 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) —
I/O Voltage (VDDQ) 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) —
Operating Temperature (TC) 0°C to +95°C —
Encapsulamento FBGA-78 (7.5 x 11 mm) 78-ball FBGA
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Memory Organization 1G x 8 —
Interface Parallel DDR4 (JEDEC standard)
Clock Frequency 1.6 GHz (I/O clock) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Packaging Tray —
Status Active —
Density — 8 Gb (1 GB)
Organização da memória — x8
Tensão de alimentação — 1.2 V (VDD)
Bank Architecture — 4 bank groups x 4 banks
Burst Length — BL8
Temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix]
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade]
Generation — C-die family (NCJR)
Lead Free — Yes
Livre de halogênio — Yes
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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