H5AN8G8NDJR-XNC vs H5AN8G8NCJR-RDC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NDJR-XNC par SK hynix et H5AN8G8NCJR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G8NDJR-XNC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $24,50 | $2,70 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gbit (1 G x 8) | — |
| Débit de données | 3200 MT/s (DDR4-3200) | up to 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| Operating Temperature (TC) | 0°C to +95°C | — |
| Boîtier | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Interface | Parallel | DDR4 (JEDEC standard) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (I/O clock) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Packaging | Tray | — |
| Status | Active | — |
| Density | — | 8 Gb (1 GB) |
| Organisation de la mémoire | — | x8 |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V (VDD) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| Température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| Statut RoHS | — | Compliant |