H5ANAG8NBJR-VKC vs K4AAG085WM-BCWE 比較
詳細な並列比較: H5ANAG8NBJR-VKC メーカー: SK hynix および K4AAG085WM-BCWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5ANAG8NBJR-VKC | K4AAG085WM-BCWE |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | DRAM |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $8.60 | $7.00 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| メモリ構成 | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) | — |
| 電源電圧 | 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) | 1.2 V |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (internal interface per distributor data) | — |
| 動作温度 | 0C to +85C | 0C to +85C |
| パッケージ | FBGA-78 | 78FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | 30 mA (operating, per distributor listing) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| RoHS ステータス | Compliant, Lead-Free and Halogen-Free | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Refresh Interval | [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] | — |
| データレート | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| インターフェース | — | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |
| Speed Grade Suffix | — | -BCWE |
| Application Class | — | Memory IC / Storage Component |
| Power Reduction vs DDR3 | — | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |