H5ANAG8NBJR-VKC vs K4AAG085WM-BCWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG8NBJR-VKC por SK hynix y K4AAG085WM-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG8NBJR-VKC | K4AAG085WM-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,60 | $7,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) | — |
| Tensión de alimentación | 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) | 1.2 V |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (internal interface per distributor data) | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Encapsulado | FBGA-78 | 78FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | 30 mA (operating, per distributor listing) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Estado RoHS | Compliant, Lead-Free and Halogen-Free | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Refresh Interval | [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] | — |
| Velocidad de datos | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Interfaz | — | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |
| Speed Grade Suffix | — | -BCWE |
| Application Class | — | Memory IC / Storage Component |
| Power Reduction vs DDR3 | — | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |