H5ANAG8NBJR-VKC vs K4AAG085WM-BCWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG8NBJR-VKC 제조: SK hynix 및 K4AAG085WM-BCWE 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5ANAG8NBJR-VKC | K4AAG085WM-BCWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.60 | $7.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| 메모리 구성 | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) | — |
| 공급 전압 | 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) | 1.2 V |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (internal interface per distributor data) | — |
| 동작 온도 | 0C to +85C | 0C to +85C |
| 패키지 | FBGA-78 | 78FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | 30 mA (operating, per distributor listing) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| RoHS 상태 | Compliant, Lead-Free and Halogen-Free | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Refresh Interval | [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] | — |
| 데이터 속도 | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| 인터페이스 | — | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |
| Speed Grade Suffix | — | -BCWE |
| Application Class | — | Memory IC / Storage Component |
| Power Reduction vs DDR3 | — | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |