H5TC4G63AFR-PBJ vs NT5CC256M16ER-EK 比較
詳細な並列比較: H5TC4G63AFR-PBJ メーカー: SK hynix および NT5CC256M16ER-EK メーカー: Nanya Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5TC4G63AFR-PBJ | NT5CC256M16ER-EK |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Nanya Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $7.50 | $24.00 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| メモリサイズ | 4 Gb (256M x 16) | — |
| 電源電圧 | 1.35 V | 1.35 V |
| パッケージ | 96-ball TFBGA | TFBGA-96 |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| データレート | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Access Time | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Density | — | 4 Gbit |
| メモリ構成 | — | 256M x 16 |
| 動作温度 | — | 0°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| インターフェース | — | Parallel |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| Lead-Free | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |