H5TC4G63AFR-PBJ vs NT5CC256M16ER-EK Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63AFR-PBJ par SK hynix et NT5CC256M16ER-EK par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5TC4G63AFR-PBJ | NT5CC256M16ER-EK |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,50 | $24,00 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gb (256M x 16) | — |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35 V |
| Boîtier | 96-ball TFBGA | TFBGA-96 |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Débit de données | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Access Time | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Density | — | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Interface | — | Parallel |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Lead-Free | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |