H5TC4G63CFR-H9J vs K4B4G1646E-BMK0 比較

詳細な並列比較: H5TC4G63CFR-H9J メーカー: SK hynix および K4B4G1646E-BMK0 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9J H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BMK0 K4B4G1646E-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646E-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646E-BMK0 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5TC4G63CFR-H9J K4B4G1646E-BMK0
ブランド SK hynix Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.00 $6.50
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V +0.100/-0.067V —
Speed Grade -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) 1600 Mbps
パッケージ 96-ball TFBGA 96-FBGA
Number of Terminals 96 —
Temperature Grade Industrial —
Lead-Free Yes —
ハロゲンフリー Yes —
RoHS Compliant Yes —
Clock Input Fully differential (CK, CK) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS) —
On-Chip DLL Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Voltage — 1.35 V
動作温度 — -40°C to +95°C
インターフェース — Parallel
Clock Frequency — 800 MHz
データレート — 1600 Mbps
実装タイプ — Surface Mount
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic ODT — Yes
Data Mask — Yes

データシート&リソース

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