H5TC4G63CFR-H9J vs K4B4G1646E-BMK0 Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5TC4G63CFR-H9J por SK hynix y K4B4G1646E-BMK0 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5TC4G63CFR-H9J | K4B4G1646E-BMK0 |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,00 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V +0.100/-0.067V | — |
| Speed Grade | -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) | 1600 Mbps |
| Encapsulado | 96-ball TFBGA | 96-FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Temperature Grade | Industrial | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Clock Input | Fully differential (CK, CK) | — |
| Data Strobe | Differential (DQS, DQS) | — |
| On-Chip DLL | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Voltage | — | 1.35 V |
| Temperatura de funcionamiento | — | -40°C to +95°C |
| Interfaz | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Velocidad de datos | — | 1600 Mbps |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |