H5TC4G63CFR-XXJ vs K4B4G1646E-BYMA 比較

詳細な並列比較: H5TC4G63CFR-xxJ メーカー: SK hynix および K4B4G1646E-BYMA メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5TC4G63CFR-xxJ H5TC4G63CFR-xxJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxJ ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5TC4G63CFR-xxJ K4B4G1646E-BYMA
ブランド SK hynix Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.90 $14.32
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
Clock Input Fully differential (CK, CK#) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS#) —
On-Chip DLL Yes —
DM Mask Yes —
パッケージ 96-ball FBGA FBGA-96
動作温度範囲 0°C to 95°C (case) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ハロゲンフリー Yes —
Speed Grade [DATA_NEEDED: speed grade for -xxJ suffix] —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency options] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
On-Die Termination Yes —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
電源電圧 — 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Clock Frequency — 933 MHz
データレート — 1866 Mbps/pin
動作温度 — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
実装タイプ — Surface Mount
ピン数 — 96

データシート&リソース

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