IAUC100N04S6L020ATMA1 vs IAUC100N04S6L014ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC100N04S6L020ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC100N04S6L014ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 ✓ 生産中
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IAUC100N04S6L014ATMA1 IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L014ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L014ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.86 $0.72
FET Type N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 40 V —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Tc) 75 W —
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A 2.04 mΩ —
RDS(on) Typical 2.0 mΩ —
Gate-Source Voltage VGS (max) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical 2.0 V —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS 6
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +175C
パッケージ PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) PG-TDSON-8 (SuperSO8, 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive grade —
Packaging Tape & Reel (TMA1) Tape & Reel (ATMA1 suffix)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — IAUC / OptiMOS 6 40V
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 100 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
R_DS(on) max (V_GS=10V) — 1.4 mOhm
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: Q_G typical]
Power Dissipation (P_D, Tc) — 100 W
AEC-Q101 Qualification — Yes
MSLレベル — 1

データシート&リソース

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