IAUCN04S7L006ATMA1 vs IAUZN04S7L030ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN04S7L006ATMA1 メーカー: Infineon および IAUZN04S7L030ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ 生産中
Infineon
IAUZN04S7L030ATMA1 IAUZN04S7L030ATMA1 - 40V 3.05mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN04S7L030ATMA1 - 40V 3.05mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN04S7L030ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN04S7L006ATMA1 IAUZN04S7L030ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.38 $0.36
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max 0.6 mΩ at V_GS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C —
パッケージ PG-TDSON-8-43 PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm²
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-7 trench —
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
RoHS ステータス Compliant —
ピン数 8 —
Packaging Tape and Reel (ATMA1) —
Polarity Single N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 60 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) — 100 A
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) — 3.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 58 W
Operating Junction Temperature (Tj) — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-7
Channel Type — N-Channel
Automotive Qualification — AEC-Q101 (Automotive OptiMOS)
RoHS Compliance — Compliant
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL rating]

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼