IAUCN04S7L006ATMA1 vs IAUZN04S7L030ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7L006ATMA1 por Infineon e IAUZN04S7L030ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN04S7L006ATMA1 IAUZN04S7L030ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,38 $0,36
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max 0.6 mΩ at V_GS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-43 PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm²
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-7 trench —
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
Status RoHS Compliant —
Contagem de pinos 8 —
Packaging Tape and Reel (ATMA1) —
Polarity Single N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 60 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) — 100 A
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) — 3.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 58 W
Operating Junction Temperature (Tj) — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-7
Channel Type — N-Channel
Automotive Qualification — AEC-Q101 (Automotive OptiMOS)
RoHS Compliance — Compliant
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fichas técnicas e recursos

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