IAUCN04S7L006ATMA1 vs IAUZN04S7L030ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUCN04S7L006ATMA1 제조: Infineon 및 IAUZN04S7L030ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IAUCN04S7L006ATMA1 | IAUZN04S7L030ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.38 | $0.36 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 175 A | — |
| R_DS(on) Max | 0.6 mΩ at V_GS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +175 °C | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8-43 | PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm² |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS-7 trench | — |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| 핀 수 | 8 | — |
| Packaging | Tape and Reel (ATMA1) | — |
| Polarity | Single N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 60 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tj) | — | 100 A |
| On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) | — | 3.05 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 58 W |
| Operating Junction Temperature (Tj) | — | -55C to +175C |
| Technology Family | — | OptiMOS-7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive OptiMOS) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |