IAUTN04S7N005ATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 比較
詳細な並列比較: IAUTN04S7N005ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC120N04S6N010ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IAUTN04S7N005ATMA1 | IAUC120N04S6N010ATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.22 | $0.68 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS™7 (40 V, Automotive) | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 350 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 0.44 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| 消費電力（TC=25°C） | 218 W | — |
| 動作接合温度 | -55 °C to +175 °C | — |
| パッケージ | PG-HSOF-8-8 (TOLL) 10 × 12 mm | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per manufacturer datasheet) | — |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020] | 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family) |
| Gate Charge (Qg typ.) | [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge Figure of Merit (FOM) | [DATA_NEEDED: FOM = RDS(on) × Qg] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id, Tc) | — | 150 A |
| Power Dissipation (Pd, Tc) | — | 150 W |
| RDS(on) at VGS=10V (typ) | — | 1.0 mΩ |
| RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) | — | 1.03 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) | — | 3 V (at 90 µA) |
| 動作温度範囲 | — | -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family) |
| Gate Drive Recommendation | — | 10 V VGS for full RDS(on) spec |
| Polarity | — | Single N-channel |