IAUTN04S7N005ATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUTN04S7N005ATMA1 par Infineon et IAUC120N04S6N010ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUTN04S7N005ATMA1 | IAUC120N04S6N010ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,22 | $0,68 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS™7 (40 V, Automotive) | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 350 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 0.44 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Dissipation de puissance (TC=25°C) | 218 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-HSOF-8-8 (TOLL) 10 × 12 mm | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per manufacturer datasheet) | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020] | 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family) |
| Gate Charge (Qg typ.) | [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge Figure of Merit (FOM) | [DATA_NEEDED: FOM = RDS(on) × Qg] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id, Tc) | — | 150 A |
| Power Dissipation (Pd, Tc) | — | 150 W |
| RDS(on) at VGS=10V (typ) | — | 1.0 mΩ |
| RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) | — | 1.03 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) | — | 3 V (at 90 µA) |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family) |
| Gate Drive Recommendation | — | 10 V VGS for full RDS(on) spec |
| Polarity | — | Single N-channel |