IAUZN08S7L177ATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUZN08S7L177ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC120N04S6N010ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUZN08S7L177ATMA1 IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 ✓ 生産中
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IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUZN08S7L177ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.89 $0.68
Technology OptiMOS 7 N-channel power MOSFET OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 35 A (Tj) —
Power Dissipation (PD) 45 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 17.7 mΩ max —
パッケージ PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel Single N-channel
動作温度 -55C to +175C (Tj, automotive grade) —
Configuration Single —
Qualification AEC-Q101 automotive —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family)
Lead-Free Yes —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Family Infineon OptiMOS 7 automotive, 80 V —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (Id, Tc) — 150 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 150 W
RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.0 mΩ
RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) — 1.03 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) — 3 V (at 90 µA)
Automotive Qualification — AEC-Q101
動作温度範囲 — -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family)
Gate Drive Recommendation — 10 V VGS for full RDS(on) spec

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