IAUZN08S7L177ATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUZN08S7L177ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC120N04S6N010ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IAUZN08S7L177ATMA1 | IAUC120N04S6N010ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.89 | $0.68 |
| Technology | OptiMOS 7 N-channel power MOSFET | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 35 A (Tj) | — |
| Power Dissipation (PD) | 45 W (Tc) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 17.7 mΩ max | — |
| 패키지 | PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | N-Channel | Single N-channel |
| 동작 온도 | -55C to +175C (Tj, automotive grade) | — |
| Configuration | Single | — |
| Qualification | AEC-Q101 automotive | — |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family) |
| Lead-Free | Yes | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Family | Infineon OptiMOS 7 automotive, 80 V | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id, Tc) | — | 150 A |
| Power Dissipation (Pd, Tc) | — | 150 W |
| RDS(on) at VGS=10V (typ) | — | 1.0 mΩ |
| RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) | — | 1.03 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) | — | 3 V (at 90 µA) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| 동작 온도 범위 | — | -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family) |
| Gate Drive Recommendation | — | 10 V VGS for full RDS(on) spec |