IHW40N120R5XKSA1 vs IPP100N12S305AKSA1 比較

詳細な並列比較: IHW40N120R5XKSA1 メーカー: Infineon および IPP100N12S305AKSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 - 1200V 40A RC-H5 IGBT | Infineon

IHW40N120R5XKSA1 - 1200V 40A RC-H5 IGBT | Infineon

IHW40N120R5XKSA1 ✓ 生産中
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IPP100N12S305AKSA1 IPP100N12S305AKSA1 - 120V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IPP100N12S305AKSA1 - 120V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IPP100N12S305AKSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IHW40N120R5XKSA1 IPP100N12S305AKSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ IGBTs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.50 $2.05
Collector-Emitter Voltage (VCE) 1200 V —
Continuous Collector Current (IC, TC=25C) 80 A —
Pulsed Collector Current (ICM) 160 A —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 394 W —
Gate-Emitter Voltage (VGE) +/-20 V —
VCE(sat) at IC=40A, VGE=15V, Tj=25C [DATA_NEEDED: typical VCE(sat) value] —
Integrated Anti-Parallel Diode Yes (monolithic reverse-conducting) —
Technology Trench Field Stop, Reverse-Conducting RC-H5 OptiMOS trench
パッケージ TO-247-3 (PG-TO247-3) through-hole TO-220 (PG-TO220-3-1)
実装タイプ Through Hole Through Hole
動作接合温度 -40C to +175C -55 °C to +175 °C
Storage Temperature -55C to +150C —
Soldering Temperature (max 10s) 260 C —
Switching Application Resonant / soft switching (induction cooking optimized) —
RoHS Compliance Compliant Compliant (Green product)
ハロゲンフリー Yes —
MSLレベル N/A (through-hole) —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 120 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
パルスドレイン電流 — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Avalanche Energy, Single Pulse — [DATA_NEEDED: EAS]
ピン数 — 3
MSL Moisture Sensitivity Level — 1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% tested

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