IHW40N120R5XKSA1 vs IPP100N12S305AKSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IHW40N120R5XKSA1 제조: Infineon 및 IPP100N12S305AKSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 - 1200V 40A RC-H5 IGBT | Infineon

IHW40N120R5XKSA1 - 1200V 40A RC-H5 IGBT | Infineon

IHW40N120R5XKSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IHW40N120R5XKSA1 IPP100N12S305AKSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 IGBTs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $3.50 $2.05
Collector-Emitter Voltage (VCE) 1200 V —
Continuous Collector Current (IC, TC=25C) 80 A —
Pulsed Collector Current (ICM) 160 A —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 394 W —
Gate-Emitter Voltage (VGE) +/-20 V —
VCE(sat) at IC=40A, VGE=15V, Tj=25C [DATA_NEEDED: typical VCE(sat) value] —
Integrated Anti-Parallel Diode Yes (monolithic reverse-conducting) —
Technology Trench Field Stop, Reverse-Conducting RC-H5 OptiMOS trench
패키지 TO-247-3 (PG-TO247-3) through-hole TO-220 (PG-TO220-3-1)
실장 유형 Through Hole Through Hole
동작 접합 온도 -40C to +175C -55 °C to +175 °C
Storage Temperature -55C to +150C —
Soldering Temperature (max 10s) 260 C —
Switching Application Resonant / soft switching (induction cooking optimized) —
RoHS Compliance Compliant Compliant (Green product)
할로겐 프리 Yes —
MSL 레벨 N/A (through-hole) —
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 120 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
펄스 드레인 전류 — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Avalanche Energy, Single Pulse — [DATA_NEEDED: EAS]
핀 수 — 3
MSL Moisture Sensitivity Level — 1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% tested

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