IPA60R180P7SXKSA1 vs IPW60R180P7XKSA1 比較

詳細な並列比較: IPA60R180P7SXKSA1 メーカー: Infineon および IPW60R180P7XKSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 - 600V CoolMOS P7 180mOhm MOSFET | Infineon

IPA60R180P7SXKSA1 - 600V CoolMOS P7 180mOhm MOSFET | Infineon

IPA60R180P7SXKSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPA60R180P7SXKSA1 IPW60R180P7XKSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.74 $1.60
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET CoolMOS P7 (Superjunction, 7th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 18 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 180 mOhm (max at 25C) —
Power Dissipation (PD) at Tc 26 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
パッケージ PG-TO220-3-312 (Through-Hole, 3 leads) PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole, 3+tab pins)
実装タイプ Through Hole Through Hole
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 18 A
On-Resistance RDS(on) max — 180 mOhm
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (Pd, Tc=25C) — 72 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Gate Drive Voltage (VGS, recommended) — 10 V (typical), +/-20 V max
動作接合温度 — -55C to +150C
Body Diode — Fast body diode with low reverse recovery (Qrr)
Integrated Gate Resistor — Yes
Orderable Part Number — IPW60R180P7XKSA1 (tube pack, industrial grade)

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