IPA60R180P7SXKSA1 vs IPW60R180P7XKSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPA60R180P7SXKSA1 par Infineon et IPW60R180P7XKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPA60R180P7SXKSA1 IPW60R180P7XKSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $1,60
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET CoolMOS P7 (Superjunction, 7th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 18 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 180 mOhm (max at 25C) —
Power Dissipation (PD) at Tc 26 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Boîtier PG-TO220-3-312 (Through-Hole, 3 leads) PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole, 3+tab pins)
Type de montage Through Hole Through Hole
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 18 A
On-Resistance RDS(on) max — 180 mOhm
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (Pd, Tc=25C) — 72 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Gate Drive Voltage (VGS, recommended) — 10 V (typical), +/-20 V max
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +150C
Body Diode — Fast body diode with low reverse recovery (Qrr)
Integrated Gate Resistor — Yes
Orderable Part Number — IPW60R180P7XKSA1 (tube pack, industrial grade)

Fiches techniques et ressources

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