IPA60R180P7SXKSA1 vs IPW60R180P7XKSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPA60R180P7SXKSA1 por Infineon e IPW60R180P7XKSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPA60R180P7SXKSA1 IPW60R180P7XKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,74 $1,60
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET CoolMOS P7 (Superjunction, 7th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 18 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 180 mOhm (max at 25C) —
Power Dissipation (PD) at Tc 26 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Encapsulamento PG-TO220-3-312 (Through-Hole, 3 leads) PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole, 3+tab pins)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 18 A
On-Resistance RDS(on) max — 180 mOhm
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (Pd, Tc=25C) — 72 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Gate Drive Voltage (VGS, recommended) — 10 V (typical), +/-20 V max
Temperatura de junção de operação — -55C to +150C
Body Diode — Fast body diode with low reverse recovery (Qrr)
Integrated Gate Resistor — Yes
Orderable Part Number — IPW60R180P7XKSA1 (tube pack, industrial grade)

Fichas técnicas e recursos

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