IPB031N08N5ATMA1 vs ISK057N04LM6ATLA1 比較

詳細な並列比較: IPB031N08N5ATMA1 メーカー: Infineon および ISK057N04LM6ATLA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
ISK057N04LM6ATLA1 ISK057N04LM6ATLA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISK057N04LM6ATLA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISK057N04LM6ATLA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPB031N08N5ATMA1 ISK057N04LM6ATLA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.62 $0.52
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) Trench (OptiMOS 6)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 120 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) Max 167 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) Max 3.1 mOhm (VGS=10V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
動作温度範囲 -55 C to +175 C -55 °C to +150 °C
パッケージ PG-TO263-3 (D2PAK) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 (Gate, Drain, Source + Tab) —
Tab Connection Drain (electrically connected to pin) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Automotive Qualified Yes (per Arrow listing) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 6
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 64 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max]
RDS(on) typical at VGS=10V — 5.7 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (Qg total) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 39.1 W
パッケージ / ケース — PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2)
Packaging — Tape & Reel (TR)
DigiKey Part Number — 448-ISK057N04LM6ATLA1TR-ND

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