IPB031N08N5ATMA1 vs ISK057N04LM6ATLA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPB031N08N5ATMA1 제조: Infineon 및 ISK057N04LM6ATLA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
ISK057N04LM6ATLA1 ISK057N04LM6ATLA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISK057N04LM6ATLA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISK057N04LM6ATLA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPB031N08N5ATMA1 ISK057N04LM6ATLA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.62 $0.52
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) Trench (OptiMOS 6)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 120 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) Max 167 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) Max 3.1 mOhm (VGS=10V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
동작 온도 범위 -55 C to +175 C -55 °C to +150 °C
패키지 PG-TO263-3 (D2PAK) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 (Gate, Drain, Source + Tab) —
Tab Connection Drain (electrically connected to pin) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Automotive Qualified Yes (per Arrow listing) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 6
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 64 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max]
RDS(on) typical at VGS=10V — 5.7 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (Qg total) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 39.1 W
패키지 / 케이스 — PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2)
Packaging — Tape & Reel (TR)
DigiKey Part Number — 448-ISK057N04LM6ATLA1TR-ND

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