IPB031N08N5ATMA1 vs ISK057N04LM6ATLA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPB031N08N5ATMA1 от Infineon и ISK057N04LM6ATLA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPB031N08N5ATMA1 IPB031N08N5ATMA1 - 80V 120A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB031N08N5ATMA1 - 80V 120A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB031N08N5ATMA1 ✓ Активен
Infineon
ISK057N04LM6ATLA1 ISK057N04LM6ATLA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISK057N04LM6ATLA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISK057N04LM6ATLA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPB031N08N5ATMA1 ISK057N04LM6ATLA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,62 $0,52
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) Trench (OptiMOS 6)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 120 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) Max 167 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) Max 3.1 mOhm (VGS=10V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Диапазон рабочих температур -55 C to +175 C -55 °C to +150 °C
Корпус PG-TO263-3 (D2PAK) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Число выводов 3 (Gate, Drain, Source + Tab) —
Tab Connection Drain (electrically connected to pin) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Automotive Qualified Yes (per Arrow listing) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 6
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 64 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max]
RDS(on) typical at VGS=10V — 5.7 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (Qg total) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 39.1 W
Корпус / Типоразмер — PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2)
Packaging — Tape & Reel (TR)
DigiKey Part Number — 448-ISK057N04LM6ATLA1TR-ND

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену