IPB100N04S4H2ATMA1 vs IPB037N06N3GATMA1 比較

詳細な並列比較: IPB100N04S4H2ATMA1 メーカー: Infineon および IPB037N06N3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IPB100N04S4H2ATMA1 IPB037N06N3GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.42 $1.41
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS-T2 (trench gate) OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 2.0 V to 3.5 V
RDS(on) at VGS=10V 2.4 mΩ typical —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C 115 W —
動作接合温度 -55C to +175C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temp range] —
パッケージ PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル MSL1 (up to 260C peak reflow) 1 (unlimited)
Avalanche Energy (EAS) 100% avalanche tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPB037N06N3GATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
On-Resistance RDS(on) Max — 3.7 mOhm at VGS=10V
Total Power Dissipation (Pd) at Tc — 188 W
動作温度範囲 — -55 C to +175 C (junction)
パッケージ / ケース — PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount)
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: gate charge value]
RoHS ステータス — Compliant
Drain Tab Connection — Tab electrically tied to drain

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