IPB100N04S4H2ATMA1 vs IPB037N06N3GATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPB100N04S4H2ATMA1 제조: Infineon 및 IPB037N06N3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPB100N04S4H2ATMA1 IPB037N06N3GATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.42 $1.41
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS-T2 (trench gate) OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 2.0 V to 3.5 V
RDS(on) at VGS=10V 2.4 mΩ typical —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C 115 W —
동작 접합 온도 -55C to +175C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temp range] —
패키지 PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 MSL1 (up to 260C peak reflow) 1 (unlimited)
Avalanche Energy (EAS) 100% avalanche tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPB037N06N3GATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
On-Resistance RDS(on) Max — 3.7 mOhm at VGS=10V
Total Power Dissipation (Pd) at Tc — 188 W
동작 온도 범위 — -55 C to +175 C (junction)
패키지 / 케이스 — PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount)
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: gate charge value]
RoHS 상태 — Compliant
Drain Tab Connection — Tab electrically tied to drain

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