IPB100N04S4H2ATMA1 vs IPB120N04S402ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPB100N04S4H2ATMA1 メーカー: Infineon および IPB120N04S402ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 - 40V 120A OptiMOS-T2 N-FET D2PAK | Infineon

IPB120N04S402ATMA1 - 40V 120A OptiMOS-T2 N-FET D2PAK | Infineon

IPB120N04S402ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPB100N04S4H2ATMA1 IPB120N04S402ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.42 $1.85
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel, Enhancement Mode
Technology OptiMOS-T2 (trench gate) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) at VGS=10V 2.4 mΩ typical —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C 115 W —
動作接合温度 -55C to +175C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temp range] —
パッケージ PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount PG-TO263-3 (D2PAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル MSL1 (up to 260C peak reflow) —
Avalanche Energy (EAS) 100% avalanche tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS Compliance Compliant (Green Product) Green Product (RoHS compliant)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Continuous Drain Current (ID, TC) — 120 A
Power Dissipation (PD, TC) — 158 W
RDS(on) (typ @ VGS=10 V) — 1.8 mΩ
ピン数 — 3 (2 + Tab)
動作温度範囲 — -55 °C to +175 °C
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy Rating — 100% Avalanche Tested
湿気感度レベル(MSL) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow)

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼