IPB100N04S4H2ATMA1 vs IPB120N04S402ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPB100N04S4H2ATMA1 제조: Infineon 및 IPB120N04S402ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPB100N04S4H2ATMA1 IPB120N04S402ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.42 $1.85
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel, Enhancement Mode
Technology OptiMOS-T2 (trench gate) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) at VGS=10V 2.4 mΩ typical —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C 115 W —
동작 접합 온도 -55C to +175C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temp range] —
패키지 PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount PG-TO263-3 (D2PAK)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 MSL1 (up to 260C peak reflow) —
Avalanche Energy (EAS) 100% avalanche tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS Compliance Compliant (Green Product) Green Product (RoHS compliant)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Continuous Drain Current (ID, TC) — 120 A
Power Dissipation (PD, TC) — 158 W
RDS(on) (typ @ VGS=10 V) — 1.8 mΩ
핀 수 — 3 (2 + Tab)
동작 온도 범위 — -55 °C to +175 °C
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy Rating — 100% Avalanche Tested
습도 민감도 레벨 (MSL) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow)

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